[发明专利]一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法

权利要求书

1.一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法，包括如下顺序的步骤：

a.二氧化锡导电玻璃基片的清洗；

b.将1.0～2.0份C₆H₅Na₃O₇·2H₂O、4.5～9.0份CuCl₂·2H₂O、6.0～12.0份InCl₃、6.0～12.0份SeO₂放入2700.0～5400.0份的蒸馏水中，使溶液中的物质溶解；

c.采用电沉积法将步骤b所述溶液在导电玻璃片上沉积得到前驱体薄膜，自然干燥，得到前驱体薄膜样品；

d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，在水合联氨中加入硒粉，前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，将前驱体薄膜和水合联氨放入管式炉中；将管式炉加热至250～400℃之间，保温时间3～9h，然后冷却到室温取出；

e.将步骤d所得物，自然干燥，得到铜铟硒光电薄膜。

2.如权利要求1所述的一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法，其特征在于，步骤a所述清洗，是将导电玻璃基片大小为20mm×20mm，放入体积比丙酮：蒸馏水=5：1的溶液中，超声波清洗30min；再将基片放入乙醇中，超声波清洗30min；再在蒸馏水中将玻璃基片用超声振荡30min；将上述得到的玻璃基片排放在玻璃皿中送入烘箱中，在100℃下烘干供制膜用。

3.如权利要求1所述的一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法，其特征在于，步骤c所述，是将溶液加入三电极装置中，以饱和甘汞电极为参比电极，铂电极为辅助电极，二氧化锡导电玻璃为研究电极，采用晶体管恒电位仪在沉积电位为-0.5V下常温沉积薄膜，沉积时间为30min，自然干燥得到前驱体薄膜样品。

4.如权利要求1所述的一种氯化物体系两步法制备铜铟硒光电薄膜的方法，其特征在于，步骤d所述管式炉内放入40.0～50.0份水合联氨、4.0～8.0份硒粉。