[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510933455.3 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105576034A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张占东 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管元件及其制造方法，其包含形成一图案化光阻层于有源层上，其中图案化光阻层具有一第一部分、一第二部分及镂空部分，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度；薄化镂空部分的有源层；移除图案化光阻层的第二部分，以裸露出对应的有源层部分；对有源层的裸露部分进行高剂量离子掺杂，使较厚的有源层形成高浓度掺杂区，较薄的有源层形成低掺杂区；移除剩余的图案化光阻层；最后形成栅极、接触孔和漏/源极金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管元件的制造方法，其特征在于：包含下列步骤：在基板上形成一有源层；对有源层进行通道掺杂；形成一图案化光阻层于该有源层上，其中该图案化光阻层具有一第一部分、一第二部分及镂空部分，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度，其中第一部分覆盖有源层的中央位置；第二部分覆盖于有源层的两侧；镂空部分位于第一部分与第二部分之间以将第一部分与第二部分隔开，且所述镂空部分露出有源层的一部分；通过蚀刻使露出于所述镂空部分的有源层厚度变薄；移除图案化光阻层的第二部分，以裸露出对应的有源层部分；对有源层的裸露部分进行高剂量离子掺杂，使较厚的有源层形成高浓度掺杂区，较薄的有源层形成低掺杂区；移除剩余的图案化光阻层，并形成一栅极绝缘层；于栅极绝缘层上形成一金属层，并图案化所述金属层以定义出栅极；于栅极绝缘层上形成一层间电介质层以覆盖所述栅极；于所述层间电介质层上形成位置对应高浓度掺杂区的接触孔；以及于接触孔内形成漏/源极金属层。
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