[发明专利]一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源有效
申请号: | 201510921731.4 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN105655217B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 孙雪平;袁卫华;彭立波;易文杰;张赛;钟新华 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周长清 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源,包括弧室,作为等离子体生成弧室和阳极,弧室内导入含氟可电离气体;灯丝,作为热阴极灯丝并设置在弧室内,灯丝用来发射电子;氮化铝反射电极,设置在弧室内的一侧,作为铝离子生成源,在阳极与氮化铝反射极间施加来自于射频电源的电压;磁铁,安装在弧室内以产生磁场;引出电极,用来引出铝离子束流;偏压电源,设置在灯丝和弧室之间,电子在偏压电源生成的电场作用下飞向弧室,氟离子在电场作用下加速飞向灯丝。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、效率更高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 偏压 供电 磁控溅射 金属 离子源 | ||
【主权项】:
一种射频偏压供电的磁控溅射金属铝离子源,其特征在于,包括:弧室(1),作为等离子体生成弧室和阳极,所述弧室(1)内导入含氟可电离气体(7);灯丝(2),作为热阴极灯丝并设置在所述弧室(1)内,所述灯丝(2)用来发射电子且与含氟可电离气体(7)的进气口相对布置;氮化铝反射电极(5),设置在所述弧室(1)内的一侧且相对所述灯丝(2)为侧置,作为铝离子生成源,在阳极与氮化铝反射电极(5)间施加来自于射频电源(10)的电压;磁铁(6),安装在所述弧室(1)外以产生磁场,所述磁场沿着连接灯丝(2)与对置送气入口的线;引出电极(8),用来引出铝离子束流;偏压电源(9),设置在所述灯丝(2)和弧室(1)之间,电子在所述偏压电源(9)生成的电场作用下飞向弧室(1),氟离子在电场作用下加速飞向灯丝(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所,未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510921731.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。