[发明专利]摄像装置及摄像装置的制造方法在审
| 申请号： | 201510920936.0 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105702693A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 堀真也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种摄像装置及摄像装置的制造方法。在包含光电二极管(PD)的芯片形成区域(TFR)的周围区域，形成有贯穿硅层(SOI)及第一层间绝缘膜(IL1)的槽型贯穿孔(TH3)。在该槽型贯穿孔(TH3)中，形成有与槽型贯穿孔(TH3)对应的壁状的壁型导电性贯穿部(TB1)。电极焊盘(PAD)与壁型导电性贯穿部(TB1)接触。电极焊盘(PAD)经由该壁型导电性贯穿部(TB1)与第一布线(M1)等电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种摄像装置，其特征在于，具有：受光传感部，其形成在具有相对的第一主表面及第二主表面的半导体层的所述第一主表面一侧；支承衬底，其隔着层间绝缘层形成在所述半导体层的所述第一主表面一侧；多个布线层，其形成在所述层间绝缘层的层之间；光入射区域，其为形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧的供光入射的区域；电极焊盘，其形成在所述半导体层的所述第二主表面一侧；和导电性贯穿部，其包括壁状的壁型导电性贯穿部，该壁型导电性贯穿部以贯穿所述半导体层来与所述电极焊盘接触的方式形成，并将所述电极焊盘与多个所述布线层中的一个布线层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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