[发明专利]采用二维石墨烯薄膜提高电子束纳米栅刻写中衬底导电性的方法

摘要

本发明公开一种采用二维石墨烯薄膜提高电子束纳米栅刻写中衬底导电性的方法，包括如下步骤：CVD法制备石墨烯于Cu片、旋涂PMMA或MMA转移载体，并湿法去除Cu片、转移至衬底，并去除PMMA或MMA、旋涂电子束抗蚀剂，并电子束曝光和显影、去除电子束曝光显露区域的石墨烯、栅金属制备及剥离、氧等离子体去除石墨烯。本发明利用二维石墨烯薄膜的高电导率来提高衬底表面的导电性，解决电子束纳米栅刻写过程中由于衬底导电性差导致的无法识别标记和套刻误差大的问题，提高了电子束套刻的精度；同时石墨烯薄膜在电子束抗蚀剂的下面，具有超薄、对抗蚀剂粘附性好的特点，对电子束抗蚀剂的曝光和显影没有影响，而且后期石墨烯的去除十分简单。

主权项

1.一种采用二维石墨烯薄膜提高电子束纳米栅刻写中衬底导电性的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）用CVD法在金属Cu衬底上制备石墨烯材料，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯转移载体；（2）将步骤（1）得到的石墨烯材料中转移载体朝上Cu朝下置于腐蚀液中，静置至衬底金属完全溶解，石墨烯附着于上层载体上；（3）将步骤（2）得到的样品转移至去离子水清洗掉腐蚀液中带出的残留离子；（4）将步骤（3）得到的样品转移至目标衬底；（5）将步骤（4）得到的样品浸泡入有机溶液中去掉转移载体，去离子水清洗；（6）在步骤（5）得到的样品上旋涂单层或多层电子束抗蚀剂，并进行电子束曝光及显影，其中，步骤（6）中，所述的电子束抗蚀剂包括PMMA、MMA、ZEP520、AR‑P 6200、UV135、UV5、UVIII、UVN、PMGI、LOR、HSQ、ARN7520中的任意一种或多种的组合；（7）去除电子束曝光露出图形中的石墨烯；（8）进行栅金属的制备和剥离；（9）用氧等离子体去除剩余的石墨烯。