[发明专利]具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510916746.1 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105552219B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 马海力;冯洁;陈小荣 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述势垒层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有高整流比的氧化物RRAM存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 整流 特性 rram 存储 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构，其特征在于：该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极；所述下电极为过渡族金属Hf，所述下电极位于所述衬底之上；所述阻变层为HfOx，所述阻变层设置在所述下电极上；所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述整流层为TaOx或禁带宽度小于氧化铪的过渡金属氧化物，所述势垒层与所述整流层的构成元素相同，但所述势垒层中氧含量比所述整流层中更高，形成一个氧浓度的梯度；所述上电极，设置在所述势垒层上。
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