[发明专利]用于永久连接两个金属表面的方法在审
| 申请号： | 201510912165.0 | 申请日： | 2011-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105513981A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | M.温普林格;V.德拉戈伊 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于永久连接两个金属表面的方法。本发明涉及用于在第一衬底的第一金属表面和第二衬底的第二金属表面之间制造永久的导电连接的方法，具有如下方法步骤：通过产生表面缺陷处理第一和第二金属表面，使得在连接金属表面时制造至少主要由于在两个金属表面的金属离子和/或金属原子之间的置换扩散而产生的永久的导电键合，定向和键合第一和第二金属表面，其中应用热处理，使得发生第一和第二金属表面的近表面层的构造的再组织。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 永久 连接 两个 金属表面 方法 | ||
【主权项】：
用于在第一衬底的第一金属表面和第二衬底的第二金属表面之间制造永久的导电连接的方法，具有如下方法步骤：－通过产生表面缺陷处理第一和第二金属表面，使得在连接金属表面时制造至少主要由于在两个金属表面的金属离子和/或金属原子之间的置换扩散而产生的永久的导电键合，－定向和键合第一和第二金属表面，其中应用热处理，使得发生第一和第二金属表面的近表面层的构造的再组织。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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