[发明专利]脉冲信号输出电路和移位寄存器有效

专利信息
申请号: 201510910099.3 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN105553462B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 天野圣子;丰高耕平;三宅博之;宫崎彩;宍户英明;楠纮慈 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03K19/0944;H03K23/44;H01L21/288;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/04;H01L29/786;G09F9/30;G09G3/36
代理公司: 72001 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 叶晓勇;姜甜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度
搜索关键词: 脉冲 信号 输出 电路 移位寄存器
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,/n具有第1至第8晶体管,/n所述第1至第8晶体管为相同极性,/n所述第1晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的源极或漏极中的一个直接连接,/n所述第3晶体管的源极或漏极中的一个与所述第4晶体管的源极或漏极中的一个直接连接,/n所述第4晶体管的栅极与所述第2晶体管的栅极直接连接,/n所述第5晶体管的源极或漏极中的一个与所述第3晶体管的源极或漏极中的一个直接连接,/n所述第5晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1晶体管的栅极直接连接,/n所述第6晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的栅极直接连接,/n所述第7晶体管的源极或漏极中的一个与所述第8晶体管的源极或漏极中的一个直接连接,/n所述第2晶体管的源极或漏极中的另一个与第1布线直接连接,/n所述第4晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接,/n所述第8晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接,/n所述第5晶体管的栅极与第2布线直接连接,/n所述第6晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接,/n所述第7晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接,/n所述第3晶体管的W/L与所述第5晶体管的W/L大致相等,其中W为沟道宽度以及L为沟道长度。/n
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