[发明专利]一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法

摘要

本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。

主权项

1.一种制备碳化硅超结结构的方法，其特征在于，包括：S1，采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽；S2，在所述沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构，其中外延生长的碳化硅的掺杂类型与所述碳化硅外延片的掺杂类型不同；其中：所述S1包括，在所述碳化硅外延片表面淀积至少一层高反光层薄膜；对所述高反光层薄膜进行图形化刻蚀，以在碳化硅外延片表面形成图形区域；采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行刻蚀，从而在所述碳化硅外延片表面形成沟槽；或所述S1包括，在透光材料表面淀积至少一层高反光层薄膜；对所述高反光层薄膜进行图形化刻蚀，制成高反光掩膜板；使激光光束穿过透镜后，聚焦在所述高反光掩膜板上，穿过所述高反光掩膜板的激光再次穿过透镜后，聚焦在所述碳化硅外延片表面，以对所述碳化硅外延片进行刻蚀，从而在所述碳化硅外延片表面形成沟槽；或所述S1包括，使激光依次经过光快门和振镜后聚焦到所述碳化硅外延片表面，以对所述碳化硅外延片进行刻蚀，其中，所述光快门和振镜由计算机控制，将刻蚀图形输入到所述计算机后，所述计算机通过控制激光的通断和光束聚焦位置，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽。