[发明专利]一种二极管芯片的玻璃钝化工艺

摘要

本发明涉及一种半导体二极管芯片的玻璃钝化工艺，属于半导体器件领域，采用两次刮涂法将玻璃浆填入二极管芯片沟槽内，以此增加二极管芯片沟槽内的玻璃厚度，结合快速烘干方式使二极管芯片沟槽内的玻璃主要分布于沟槽侧壁上，再利用旋涂法将玻璃浆旋涂于二极管芯片凸台并快速烘干，通过光刻方式开出凸台蚀刻窗口，将窗口内玻璃钝化层去除后进行玻璃烧结。本发明具有二极管芯片沟槽底部玻璃薄、侧壁厚，凸台边缘玻璃厚的特点，有利于芯片切割，同时为PN结和凸台边缘尖角提供更好的玻璃钝化层包覆。

主权项

1.一种二极管芯片的玻璃钝化工艺，其特征在于：包括如下步骤：1）采用刮涂法将玻璃浆填入二极管芯片的沟槽内，用烘箱烘干后进行第一次玻璃烧结，所述烘箱的烘烤温度为90±5℃，烘烤时间为30±5分钟；2）再用刮涂法将玻璃浆填入二极管芯片的沟槽内，然后直接将二极管芯片放置于加热板上，高温快速烘干后进行第二次玻璃烧结，所述加热板的烘烤温度为200±20℃，烘烤时间为2～5分钟；3）将玻璃浆旋转涂覆于二极管芯片表面及沟槽内，然后直接将二极管芯片放置于加热板上，高温快速烘干后进行第三次玻璃烧结，所述加热板的烘烤温度为200±20℃，烘烤时间为2～5分钟；4）将光阻剂涂于二极管芯片表面及沟槽内，通过光刻方式开出二极管芯片凸台蚀刻窗口，将窗口内玻璃钝化层去除，再去除二极管芯片表面及沟槽内的光阻剂，最后进行第四次玻璃烧结。