[发明专利]一种引线框架的制作方法在审
申请号: | 201510864801.7 | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN105448745A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 赵雅珺 | 申请(专利权)人: | 赵雅珺 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所 34105 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 244000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种引线框架的制作方法,包括组份Mn、Si、Ni、Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce和Cu,各组分配比为:W(Mn)=0.2%-0.33%、W(Si)=0.49%-0.61%、W(Ni)=2.56%-2.95%、W(Zn)=1.2%-1.6%、W(Fe)=0.12%-0.18%、W(Y)=0.001%-0.008%、W(Ce)=0.012%-0.028%,余量为Cu;在CuNiSi合金中加入稀土元素Y、Ce等少量的稀土元素净化合金的基体和晶界,提高合金的电导率和软化温度,改善和提高合金的强度,提高合金的综合使用性能。加入Zn元素能改善合金的钎焊性能。加入Mn元素能改善材料高温和抗疲劳性能等。Fe的加入使其在铜中的固溶度随温度变化有较大的差异来提高合金导电导热性。 | ||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 制作方法 | ||
【主权项】:
一种引线框架的制作方法,其特征是:包括组份Mn、Si、Ni、Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce和Cu,各组分配比为:W(Mn)= 0.2%‑0.33%、W(Si)=0.49%‑0.61%、W(Ni)=2.56%‑2.95%、W(Zn)=1.2%‑1.6%、W(Fe)=0.12%‑0.18%、W(Y)=0.001%‑0.008%、W(Ce)=0.012%‑0.028%,余量为Cu;制作步骤:(1)、将Cu、Mn、Si、Ni、Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce 八种金属按照上述配方量称重,在中频感应炉中,按照Cu、Mn、Si、Ni+Zn、Fe、稀土Y、稀土Ce的顺序在氩气保护下熔炼,熔炼温度:1200‑ 1250℃;用铁模铸成板坯;(2)、将板坯使用锯床锯切成尺寸为40 mmxl00 mmx600mm的铸锭;(3)、在加热炉上将铸锭在800℃上均匀化2 h,放入水中急冷,车去表面缺陷得到棒状粗坯;(4)、将棒材采用水洗去除表面杂质,采用超声波对棒材进行无损探伤;(5)、对棒材进行头尾锯切—矫直—复检得到半成品A;(6)、将半成品A进行冷轧后再,用箱式电阻炉在900℃下退火1 h进行固溶处理,然后水淬得到半成品B;(7)、对半成品进行拉拔—退火—拉拨,反复几次,直到引线线径达到2.24mm,根据需求制的引线框架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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