[发明专利]具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法有效
申请号: | 201510852193.8 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN106353962B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 石志聪;陈政宏;游信胜;严涛南 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了光刻掩模。光刻掩模包括包含低热膨胀材料(LTEM)的衬底。多层(ML)结构设置在衬底上方。ML结构配置为反射辐射。ML结构包含多个交错的膜对。每个膜对包括第一膜和第二膜。第一膜和第二膜具有不同的材料组分。每个膜对具有相应的厚度。对于多个膜对的至少一个子集,膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。本发明的实施例还涉及具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 多层 结构 通过 使用 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻掩模,包括:衬底,包含低热膨胀材料(LTEM);以及多层(ML)结构,设置在所述衬底上方,所述ML结构配置为反射辐射,其中:所述ML结构包含多个交错的膜对;每个膜对包括第一膜和第二膜,所述第一膜和所述第二膜具有不同的材料组分;每个膜对具有相应的厚度;和对于多个膜对的至少一个子集,膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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