[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法，改进具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。经由第一绝缘膜在半导体衬底上方形成选择栅电极。在选择栅电极的相对侧表面上方，形成侧壁绝缘膜的第二绝缘膜。在半导体衬底上方，经由具有电荷积累部的第三绝缘膜形成存储器栅电极。选择栅电极和存储器栅电极经由第二绝缘膜和第三绝缘膜彼此邻近。第二绝缘膜布形成在存储器栅电极的下方。插入在选择栅电极和存储器栅电极之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜的总厚度大于插入在半导体衬底和存储器栅电极之间的第三绝缘膜的厚度。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；用于非易失性存储器的存储器单元的第一栅电极，形成在所述半导体衬底之上；第一侧壁绝缘膜，形成在所述第一栅电极的第一侧表面之上；第二侧壁绝缘膜，形成在所述第一栅电极的第二侧表面之上，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对；用于所述非易失性存储器的所述存储器单元的第二栅电极，形成在所述第一栅电极的所述第一侧表面侧上，并且与所述第一栅电极一起在所述半导体衬底之上延伸；第一栅极绝缘膜，形成在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间；具有电荷积累部的第二栅极绝缘膜，形成在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间；第一侧壁间隔件，经由所述第二侧壁绝缘膜形成在所述第一栅电极的所述第二侧表面之上；以及第二侧壁间隔件，形成在所述第二栅电极的第三侧表面之上，所述第三侧表面与所述第二栅电极的邻近所述第一栅电极的一侧相对，其中所述第二栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间之上，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极经由所述第一侧壁绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜彼此邻近，其中在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，所述第一侧壁绝缘膜位于所述第一栅电极侧，以及所述第二栅极绝缘膜位于所述第二栅电极侧，其中所述第一侧壁绝缘膜不形成在所述第二栅电极下方，其中所述第一侧壁绝缘膜和所述第二侧壁绝缘膜一体地形成，以及其中插入在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述第一侧壁绝缘膜和所述第二侧壁绝缘膜的总的第二厚度大于插入在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间的所述第二栅极绝缘膜的第一厚度。