[发明专利]一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构及其形成方法，通过在MOS电容上极板周围覆盖由环状接触孔和金属层组成的罩形屏蔽层，并通过接触孔过刻蚀形成延伸将下极板包围的复合结构，来对入射光进行屏蔽，由于金属层和接触孔都具有不透光的特性，因此入射光线将被屏蔽层复合结构全部反射，从而避免了入射光从上极板的多晶侧壁和下极板的源漏区进入MOS电容电荷信号存储区，可以防止因漏光现象所带来的存储信号的失真。

主权项

1.一种全局曝光像元的防漏光存储电容结构，包括形成于衬底中的下极板和形成于衬底上的上极板，其特征在于，在衬底上围绕上极板设有一罩形的光屏蔽层结构，其至少部分向下延伸进入衬底中，并将下极板的侧部包围；其中，在所述衬底中形成有阱区、源漏区和轻掺杂源漏区，其作为下极板，位于源漏之间的衬底上形成有多晶，其作为上极板，以栅氧化层作为上、下极板之间的介质层，并通过形成于源漏区外侧的浅槽隔离作为器件之间的隔离，所述光屏蔽层的罩形侧壁下端至少部分向下延伸进入浅槽隔离中，以从外侧将阱区、源漏区和轻掺杂源漏区包围，所述光屏蔽层与上极板之间保持间距设置。