[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有多个分立的栅极结构、位于栅极结构顶部表面的保护层和位于栅极结构和保护层侧壁的侧墙；在半导体衬底上形成覆盖侧墙和保护层的掺杂硼磷硅玻璃层，掺杂硼磷硅玻璃层的整个表面高于保护层的顶部表面；测量掺杂硼磷硅玻璃层的厚度为第一厚度；设定目标厚度，目标厚度大于第一厚度；根据目标厚度和第一厚度的差值计算得到第二厚度；根据第二厚度的数值在掺杂硼磷硅玻璃层的表面形成非掺杂硅玻璃层；形成贯穿非掺杂硅玻璃层和掺杂硼磷硅玻璃层厚度且位于相邻的栅极结构之间的自对准接触孔。所述方法能够提高形成自对接触孔的工艺稳定性。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的栅极结构、位于所述栅极结构顶部表面的保护层和位于所述栅极结构和保护层侧壁的侧墙；在所述半导体衬底上形成覆盖所述侧墙和保护层的掺杂硼磷硅玻璃层，所述掺杂硼磷硅玻璃层的整个表面高于所述保护层的顶部表面；测量掺杂硼磷硅玻璃层的厚度为第一厚度；设定目标厚度，所述目标厚度大于第一厚度；根据目标厚度和第一厚度的差值计算得到第二厚度；根据第二厚度的数值，在所述掺杂硼磷硅玻璃层的表面形成非掺杂硅玻璃层；采用各向异性干刻工艺形成贯穿所述非掺杂硅玻璃层和掺杂硼磷硅玻璃层厚度的自对准接触孔，所述自对准接触孔位于相邻的栅极结构之间，采用各向异性干刻工艺形成所述自对准接触孔的步骤包括：采用第一各向异性干刻工艺刻蚀非掺杂硅玻璃层；进行第一各向异性干刻工艺后，采用第二各向异性干刻工艺刻蚀掺杂硼磷硅玻璃层，所述第一各向异性干刻工艺对非掺杂硅玻璃层刻蚀的速率等于第二各向异性干刻工艺对掺杂硼磷硅玻璃层刻蚀的速率，且第一各向异性干刻工艺和第二各向异性干刻工艺为各向异性等离子体刻蚀工艺，第一各向异性干刻工艺和第二各向异性干刻工艺的参数相同，所述第一各向异性干刻工艺和第二各向异性刻蚀工艺的参数为：采用的气体为CF4、C4F8、O2和CO，CF4的流量为5sccm～500sccm，C4F8的流量为5sccm～500sccm，O2的流量为200sccm～300sccm，CO的流量为1sccm～200sccm，偏置射频功率为2000瓦～8000瓦，腔室压强为5mtorr～500mtorr；形成所述自对准接触孔所需的时间根据目标厚度和预设的刻蚀速率得到，所述预设的刻蚀速率为掺杂硼磷硅玻璃层的刻蚀速率。