[发明专利]用于高度缩放的晶体管的接触件有效
| 申请号： | 201510796896.3 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105609543B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·H·迪亚兹;吴忠政;张家豪;王志豪;让-皮埃尔·科林格;林群雄;连万益;梁英强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极(S/D)区，第一和第二S/D区之间的沟道，接合沟道的栅极，和连接到第一S/D区的接触部件。接触部件包括第一和第二接触层。第一接触层具有共形截面轮廓并在其至少两个侧面上与第一S/D区接触。在实施例中，第一接触层与第一S/D区的三个或四个侧面直接接触，以增大接触面积。第一接触层包括半导体‑金属合金、III‑V族半导体和锗中的一种。本发明实施例涉及用于高度缩放的晶体管的接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高度 缩放 晶体管 接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一源极/漏极S/D区和第二源极/漏极S/D区；沟道，位于所述第一S/D区和所述第二S/D区之间；栅极，与所述沟道接合；以及接触部件，连接至所述第一S/D区，其中：所述接触部件包括：第一接触层和位于所述第一接触层上方的第二接触层；所述第一接触层具有与所述第二接触层的侧面和底面共形的截面轮廓；并且所述第一接触层在所述第一S/D区的至少两个侧面上与所述第一S/D区接触或者包裹环绕所述第一S/D区，所述第一接触层具有由所述第一S/D区的一个侧面远离所述第一S/D区延伸的底面，其中，所述第一接触层的所述底面位于所述第一S/D区的顶面下方。
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