[发明专利]多温度范围基座、组件、包括该基座的反应器和系统、以及使用它们的方法有效
申请号: | 201510765406.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105483651B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | J·K·舒格鲁 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种基座组件、包括组件的反应器和系统、以及使用该组件、反应器和系统的方法。示例性基座组件包括两个或多个部分,该两个或多个部分可彼此相对地移动以允许衬底温度的快速改变。该两个或多个部分的移动可另外或可选地用于操控通过反应器的气流的传导性。 | ||
搜索关键词: | 温度 范围 基座 组件 包括 反应器 系统 以及 使用 它们 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基座组件,包括:/n由第一材料形成的基座第一部分;/n由第二材料形成的基座第二部分;以及/n在反应室内相对于所述基座第二部分移动所述基座第一部分的机制,/n其中所述基座第一部分可相对于所述基座第二部分移动以向衬底提供可变的热量,/n所述反应室包括:第一流体路径,所述第一流体路径包括所述基座第一部分与反应室壁之间的空间;以及第二流体路径,其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第一位置而流过所述第一流体路径,并且其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第二位置而流过所述第二流体路径,其中所述空间响应于所述基座第一部分处于所述第二位置而受到限制,其中所述第一流体路径或所述第二流体路径中的至少一个与真空源流体连通。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的