[发明专利]多温度范围基座、组件、包括该基座的反应器和系统、以及使用它们的方法

权利要求书

1.一种基座组件，包括：

由第一材料形成的基座第一部分；

由第二材料形成的基座第二部分；以及

在反应室内相对于所述基座第二部分移动所述基座第一部分的机制，

其中所述基座第一部分可相对于所述基座第二部分移动以向衬底提供可变的热量，

所述反应室包括：第一流体路径，所述第一流体路径包括所述基座第一部分与反应室壁之间的空间；以及第二流体路径，其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第一位置而流过所述第一流体路径，并且其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第二位置而流过所述第二流体路径，其中所述空间响应于所述基座第一部分处于所述第二位置而受到限制，其中所述第一流体路径或所述第二流体路径中的至少一个与真空源流体连通。

2.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述基座第一部分和所述基座第二部分是同轴的并且其中所述基座第一部分的直径大于所述基座第二部分的直径。

3.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述第一材料包括陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述基座第一部分包括涂覆到所述陶瓷材料上的阻性加热材料。

5.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述基座第一部分的瓦特密度为70W/cm²到100W/cm²。

6.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述第一材料包括用电绝缘材料涂覆的金属。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的基座组件，其特征在于，第二材料包括热沉。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的基座组件，其特征在于，第二材料包括从由铝、涂覆镍的铝、不锈钢、钨、哈司特镍合金、铬镍铁合金和镍构成的组中选择的金属。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的基座组件，其特征在于，基座第二部分包括流体冷却管。

10.根据权利要求1-6中任意一项所述的基座组件，其特征在于，所述基座第一部分将衬底温度控制在200℃到600℃的温度上。

11.根据权利要求1-6中任意一项所述的基座组件，其特征在于，所述基座第二部分将衬底温度控制在10℃到200℃的温度上。

12.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述机制包括伺服电机。

13.一种反应器，包括：

反应室；以及

基座，包括：

由第一材料形成的基座第一部分；

由第二材料形成的基座第二部分；

在所述反应室内相对于所述基座第二部分移动所述基座第一部分的机制，其中所述基座第一部分可相对于所述基座第二部分移动以向衬底提供可变的热量；以及

真空源，其中所述反应室包括：第一流体路径，所述第一流体路径包括所述基座第一部分与反应室壁之间的空间；以及第二流体路径，其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第一位置而流过所述第一流体路径，并且其中所述反应室内的气体响应于所述基座第一部分处于第二位置而流过所述第二流体路径，其中所述空间响应于所述基座第一部分处于所述第二位置而受到限制，其中所述真空源与所述第一流体路径或所述第二流体路径中的至少一个流体连通。

14.根据权利要求13所述的反应器，其特征在于，所述机制的至少一部分在所述反应室之外。

15.根据权利要求13-14中任意一项所述的反应器，其特征在于，所述基座第一部分的直径大于所述基座第二部分的直径。