[发明专利]减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构

摘要

本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低‑n栅格由低‑n栅格部分组成，低‑n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低‑n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低‑n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。

主权项

1.一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构，所述半导体结构包括：多个光电二极管，布置在半导体衬底内；金属栅格，位于所述半导体衬底上面并且由多个金属栅格部分组成，所述多个金属栅格部分分别围绕所述多个光电二极管的外围，从而使得所述金属栅格内的多个第一开口分别位于所述多个光电二极管上面；低折射率(低‑n)栅格，由多个低折射率栅格部分组成，所述多个低折射率栅格部分分别围绕所述多个光电二极管的相应的外围，从而使得所述低折射率栅格内的多个第二开口分别位于所述多个光电二极管上面；滤色镜，布置在对应的光电二极管的第一开口和第二开口中，并且所述滤色镜的折射率大于所述低折射率栅格的折射率；以及衬底隔离栅格，延伸至所述半导体衬底中并且由多个隔离栅格部分组成，所述多个隔离栅格部分分别围绕所述多个光电二极管的外围，其中，所述衬底隔离栅格是金属或折射率小于所述滤色镜的折射率的低折射率材料，并且所述衬底隔离栅格的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平其中，所述低折射率栅格与所述金属栅格横向偏离，因此所述金属栅格的侧壁邻接所述低折射率栅格的侧壁。