[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤步骤一对硅片进行双面抛光；步骤二在氮气气氛中对硅片激光制绒，同时将氮元素掺杂到硅片里形成一层N型硅；步骤三采用氢氟酸和盐酸的混合酸清洗硅片；步骤四在所述硅片正面进行PECVD镀膜，形成氮化硅减反膜；步骤五在硅片背面印刷背电极和铝背场；步骤六在硅片正面印刷正电极浆料形成正电极；步骤七对硅片进行烧结形成太阳能电池。与现有技术相比，本发明将制绒和扩散工艺合并到一个步骤，避免了常规高温扩散对硅片少子寿命的影响，也解决了常规刻蚀工艺带来的硅片正面边缘的部分PN结被刻蚀掉的问题，具有提高电池的光电转换效率、降低电池制造成本的优点。

主权项

一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对硅片进行双面抛光；步骤二：在氮气气氛中对硅片激光制绒，同时将氮元素掺杂到硅片里形成一层N型硅,所述氮气浓度为10kg/L‑50kg/L，激光波长为355nm，激光功率为0.05W‑10W，移动速度为100mm/s‑1000mm/s,频率为10kHz‑1000kHz；步骤三：采用氢氟酸和盐酸的混合酸清洗硅片；步骤四：在所述硅片正面进行PECVD镀膜，形成氮化硅减反膜；步骤五：在硅片背面印刷背电极和铝背场；步骤六：在硅片正面印刷正电极浆料形成正电极；步骤七：对硅片进行烧结形成太阳能电池。