[发明专利]一种硅片上料装置有效
申请号: | 201510735140.8 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105428287B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 陈勇平;郭立;樊坤;龙辉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片上料装置,包括进料机构、真空吸附区、硅片传送带和承接转运机构,进料机构包括用于放置由多个硅片堆叠形成的硅片垛的硅片盒和驱动所述硅片盒内硅片垛升降的升降驱动元件,硅片传送带和真空吸附区均位于所述硅片盒的上方,硅片传送带水平设置且穿过所述真空吸附区,真空吸附区内设有真空吸附元件,硅片传送带位于真空吸附区的部分与真空吸附元件配合来吸附硅片盒内的硅片并将所述硅片移动至承接转运机构上。本发明具有缩短硅片上料时间、提高生产效率和设备产能的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 装置 | ||
【主权项】:
1.一种硅片上料装置,其特征在于:包括进料机构(15)、真空吸附区(16)、硅片传送带(9)和承接转运机构(17),所述进料机构(15)包括用于放置由多个硅片(8)堆叠形成的硅片垛(7)的硅片盒(3)和驱动所述硅片盒(3)内硅片垛(7)升降的升降驱动元件(18),所述硅片传送带(9)和真空吸附区(16)均位于所述硅片盒(3)的上方,所述硅片传送带(9)水平设置且穿过所述真空吸附区(16),所述真空吸附区(16)内设有真空吸附元件(19),所述硅片传送带(9)位于真空吸附区(16)的部分与真空吸附元件(19)配合来吸附硅片盒(3)内的硅片(8)并将所述硅片(8)移动至承接转运机构(17)上,所述真空吸附元件(19)包括真空板(10)和真空发生器,所述真空板(10)上设有多个真空进口(101),每个真空进口(101)通过一真空管道(11)与真空发生器连接,所述真空板(10)下端面还设有多个真空微孔(102),每个真空进口(101)均与所述多个真空微孔(102)连通,所述硅片传送带(9)为钢带,所述钢带沿着所述真空板(10)下端面运动,所述钢带上设有多个吸附孔(91),所述吸附孔(91)与真空微孔(102)相对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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