[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510694882.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106608615B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 薛维佳;陈倩;袁霞 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王聪 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS器件的制造方法。该制造方法包括：在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层；于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起并固化；在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除；去除抗碱胶层并清洗键合片；腐蚀去除埋氧层；将键合片器件层一面粘贴于UV膜上；将键合片解键合以移除载体裸硅片；清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。本发明的制造方法，能够生产制造10um甚至以下厚度的超薄器件，同时保持极佳的厚度均匀性，制造精度高且便于量产。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在SOI片或载体裸硅片的表面喷涂临时键合后解键合时所需的释放层，并进行后烘；S2、于SOI片或载体裸硅片上旋涂临时键合时所需的黏胶层；S3、将SOI片和载体裸硅片临时键合在一起，并进行固化；S4、在键合片的载体裸硅片的表面旋涂抗碱腐蚀的胶层；S5、利用碱腐蚀液对SOI片的底层硅基体进行腐蚀，以将基底部分腐蚀去除，并停止于埋氧层；S6、去除抗碱胶层并清洗键合片；S7、腐蚀去除埋氧层；S8、将键合片粘贴于UV膜上，其中器件层与UV膜粘贴；S9、将键合片解键合以移除载体裸硅片；S10、清洗器件层，去除解键合后残留于器件层表面的释放层，以得到器件。
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