[发明专利]一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池的结构包括：上电极、界面层、PN结的发射层、PN结的基区、电池的钝化层、下电极；其中界面层材料的性质满足：界面层与发射层之间形成一个势垒；这个势垒方向与PN结方向相反；这个势垒高度最小为Eg-0.8eV，最大为Eg-0.4eV；形成这个势垒的材料向PN结区的扩散深度小于PN结的发射层厚度。界面层与PN结的发射层之间形成一个附加结。本发明改变了原来要求消除或降低太阳电池附加结势垒的思路，在PN结上形成反向串联的势垒高度适合的附加结，获得了超出太阳电池PN结理论最大值的填充因子，从而显著提高了电池转换效率。

主权项

 一种超高填充因子的阳电池，其特征在于结构组成：由下而上依次为上电极（1），界面层（2），PN结的发射层（3），PN结的基区（4），电池的钝化层（5），下电极（6） ；其中，界面层（2）的材料具有如下特点：（1）界面层与发射层之间形成一个势垒；（2）这个势垒方向与PN结方向相反；（3）这个势垒高度最小为Eg‑0.8eV，最大为Eg‑0.4eV，Eg为PN结材料的带隙；（4）形成这个势垒的材料向PN结区的扩散深度小于PN结的发射层厚度。