[发明专利]用于降低背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构

摘要

本发明的实施例提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。复合栅格包括：金属栅格和低折射率(低n)栅格。金属栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第一开口。低n栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第二开口。滤色器布置在相应的光电二极管的第一开口和第二开口中并且滤色器的折射率大于低n栅格的折射率。滤色器的上表面相对于复合栅格的上表面偏移。本发明也提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于降低背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构。

主权项

一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构，所述半导体结构包括：光电二极管，布置在半导体衬底内；复合栅格，包括：金属栅格，包括位于所述半导体衬底上面并且对应于所述光电二极管中的一个的第一开口；低折射率(低n)栅格，包括位于所述半导体衬底上面并且对应于所述光电二极管中的一个的第二开口；以及滤色器，布置在相应的所述光电二极管的第一开口和第二开口中，并且所述滤色器的折射率大于所述低n栅格的折射率，其中，所述滤色器的上表面相对于所述复合栅格的上表面偏移。