[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201510661016.1 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106601796A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括在衬底上形成多个鳍片和鳍片之间的STI，每个鳍片包括高迁移率材料；执行离子注入，在每个鳍片中形成防扩散层以防止高迁移率材料中的元素向衬底扩散。依照本发明的半导体器件制造方法，向高迁移率鳍片中注入离子形成防扩散层，防止沟道区中高迁移率元素浓度降低，以低成本提高了器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片和鳍片之间的STI，每个鳍片包括高迁移率材料；执行离子注入，在每个鳍片中形成防扩散层以防止高迁移率材料中的元素向衬底扩散。
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