[发明专利]一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管有效
| 申请号： | 201510634210.0 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105304725B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李彤;王铁钢;倪晓昌 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 异质pn结 二极管 衬底 磁控溅射工艺 反向击穿电压 欧姆接触电极 制备方法工艺 磁控溅射 热蒸发法 电极 正向 薄膜 制备 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由p型NiO:Al薄膜和n型TiOx薄膜而得到的异质pn结；采用NiO:Al2O3陶瓷靶和TiO2陶瓷靶，利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al薄膜和TiOx薄膜形成异质pn结；制备NiO:Al薄膜，采用氧分压O2/(O2+Ar)=0％‑100％；溅射气压为0.5‑2Pa，溅射功率为100‑200W；镀膜时间均为20‑120min，衬底温度从RT变化至600oC，退火温度从200oC变化至700oC；制备TiOx薄膜，采用氧分压O2/(O2+Ar)=0％‑100％；溅射气压为0.5‑2Pa，溅射功率为50‑200W；镀膜时间均为20‑120min，衬底温度从RT变化至600oC，退火温度从200 oC变化至700oC。
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