[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510631673.1 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106558494B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有相邻的第一区域和第二区域，所述基底表面具有横跨第一区域和第二区域的栅极结构，所述栅极结构的顶部表面覆盖有保护层；形成覆盖第一区域和第二区域的第一阻挡层；去除第二区域保护层表面及基底表面的第一阻挡层，在第二区域的栅极结构侧壁形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，形成覆盖第一区域和第二区域的第二阻挡层；向所述第一阻挡层和第二阻挡层中注入离子；去除第一区域保护层表面及基底表面的离子注入后的第一阻挡层和第二阻挡层，在第一区域的栅极结构侧壁形成第一侧墙。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有相邻的第一区域和第二区域，所述基底表面具有横跨第一区域和第二区域的栅极结构，所述栅极结构的顶部表面覆盖有保护层；形成覆盖第一区域和第二区域的第一阻挡层；去除第二区域保护层表面及基底表面的第一阻挡层，在第二区域的栅极结构侧壁形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，形成覆盖第一区域和第二区域的第二阻挡层；向所述第一阻挡层和第二阻挡层中注入离子，在第一区域，注入至第一阻挡层和第二阻挡层的全部厚度，在第二区域，注入的深度大于等于第二阻挡层的厚度且小于第二阻挡层和保护层的总厚度；刻蚀去除第一区域保护层表面及基底表面的离子注入后的第一阻挡层和第二阻挡层，在第一区域的栅极结构侧壁形成第一侧墙，所述注入离子适于提高形成第一侧墙的刻蚀工艺对第二阻挡层和保护层的刻蚀选择比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
