[发明专利]扇出型晶圆级封装方法在审
| 申请号： | 201510629484.0 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105161433A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 林正忠;蔡奇风 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法，包括：提供一载体，在载体表面形成粘合层；将至少一半导体芯片正面朝上贴装于粘合层表面；采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中，并同时在塑封材料层内形成与后续要形成的连接通孔及重新布线层相对应的开口；在开口内形成连接通孔及重新布线层。本发明采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中，并同时在塑封材料层内形成与连接通孔及重新布线层相对应的开口，减少了涂覆介电层、光刻RDL层等工艺步骤，有效地降低了生产成本，且整个工艺过程中步骤简单，可以大大提高产品的产量，在半导体封装域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述扇出型晶圆级封装方法至少包括：提供一载体，在所述载体表面形成粘合层；将至少一半导体芯片正面朝上贴装于所述粘合层表面；采用塑封工艺将所述半导体芯片塑封于塑封材料层中，并同时在所述塑封材料层内形成与后续要形成的连接通孔及重新布线层相对应的开口；在所述开口内形成连接通孔及重新布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
