[发明专利]乙硼烷质量检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201510627542.6 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105280513B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李志栓;杨彦涛;孙健;罗宁 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法，在介质层上淀积BPSG并回流，再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B2H6质量，可用于对B2H6来料及保质期的检测，步骤简单，成本较低；并且，该检测方法可以采用与正式产品的半导体制程一致的流程，将B2H6对产品结构的影响体现的更加准确，不受GC或FTIR采样及分析误差影响；此外，利用所述乙硼烷质量检测结构进行检测后，还可将掺硼的磷硅玻璃以及介质层去除掉，使得该半导体衬底可以重复利用，以进一步降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 乙硼烷 质量 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种乙硼烷质量检测方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一介质层；采用包含乙硼烷的材料在所述介质层上形成一掺硼的磷硅玻璃；进行回流工艺，形成一乙硼烷质量检测结构；检测所述乙硼烷质量检测结构中是否出现缺陷，以判断乙硼烷的质量是否符合要求；其中，所述缺陷是指分层；如果所述乙硼烷质量检测结构中未出现分层，则判断乙硼烷的质量符合要求；如果所述乙硼烷质量检测结构中出现分层，则判断乙硼烷的质量不符合要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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