[发明专利]一种鳍及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510624492.6 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558492B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;殷华湘;朱慧珑;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。该方法形成高密度的鳍的掩膜，进而提高鳍的集成度，同时，获得的鳍具有更好的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成初始图案层，该初始图案层为半导体材料，并进行氧化工艺，以在初始图案层的侧壁上形成初始氧化层，形成有初始氧化层的初始图案层为第一结构；形成第n+1结构，包括：在第n结构的侧壁上形成第n侧墙，第n侧墙为半导体材料，并进行氧化工艺，在第n侧墙的侧壁上形成第n氧化层，形成有第n氧化层的第n侧墙为第n+1结构，n从1至N，N≥1且为正整数；去除初始图案层，以及初始氧化层和第一氧化层至第n氧化层；将第一侧墙至第n侧墙的图案转移到衬底中，以形成鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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