[发明专利]制造具有凹槽的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201510616190.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106057727B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 方立言;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供其上设置有介电质的衬底，其中，介电质具有通过多个暴露的表面而形成的凹槽；在多个暴露的表面上形成导电膜；向凹槽施加表面剂，使得表面剂粘附于导电膜的一部分；将衬底浸于包括金属离子的电镀溶液中；以及向导电膜施加偏压，以在凹槽中填充金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 凹槽 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供其上设置有介电质的衬底，其中，所述介电质具有通过多个暴露的表面而形成的凹槽；在所述多个暴露的表面上形成导电膜；向所述凹槽施加表面剂，使得所述表面剂粘附于所述导电膜的一部分；将所述衬底浸于包括金属离子的电镀溶液中；以及向所述导电膜施加偏压，以在所述凹槽中填充金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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