[发明专利]单片集成芯片及其制作方法

摘要

一种单片集成芯片及其制作方法，所述单片集成芯片包括一硅基片、设于硅基片第一区域内的集成电路以及设于第二区域内与集成电路电气连接的电容式微硅麦克风。所述硅基片包括一硅器件层及位于硅器件层下的硅衬底，所述硅器件层为第一极板。所述单片集成芯片还包括设于第二区域内且位于所述第一极板上方的第二极板以及位于第一、第二极板之间的空腔，所述第一极板上设有上下贯穿且与所述空腔连通的若干声孔，所述第二极板为可动的悬臂梁式结构，悬于所述空腔的上方，所述第二极板为采用低温淀积工艺形成。如此，使得集成电路的性能稳定，并且所述电容式微硅麦克风灵敏度高。

主权项

一种单片集成芯片的制作方法，其包括如下步骤：(a). 提供一硅基片，所述硅基片具有硅器件层及位于所述硅器件层上的第一表面，所述第一表面设有用于生成集成电路的第一区域及用于生成电容式微硅麦克风的第二区域；(b). 在所述第一区域上生成与所述电容式微硅麦克风电气连接的所述集成电路，在所述第二区域上形成覆盖在所述第一表面的绝缘层及形成在所述绝缘层上的导电层；(c). 在所述第二区域内，部分去除绝缘层以部分暴露所述硅器件层的第一表面，接着刻蚀所述硅器件层形成背极板图形以及贯穿所述硅器件层的若干声孔，所述硅器件层为所述电容式微硅麦克风的第一极板；(d). 采用低温淀积工艺在所述背极板上淀积牺牲层，所述牺牲层将所述声孔填充；(e). 接着在所述牺牲层上生成所述电容式微硅麦克风的第二极板；(f). 对所述第二极板进行刻蚀以形成悬臂梁式的第二极板；(g). 所述硅基片还包括与所述硅器件层相对的硅衬底，所述硅衬底具有与所述第一表面相背的第二表面，在所述硅衬底上自所述第二表面向上凹陷成贯穿所述硅衬底的背腔，并自背腔向上去除所述牺牲层以在所述第一极板与第二极板之间形成空腔，进而使得所述第二极板成为可动结构，所述空腔、所述声孔及所述背腔相互连通。