[发明专利]一种刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201510610940.7 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106548933B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤和沉积步骤交替循环，刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，当深宽比达到预设值时，则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至刻蚀步骤结束。本发明提供的刻蚀工艺，其可以实现更高的深宽比，如60:1甚至更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种刻蚀工艺，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，其特征在于，当深宽比达到预设值时，则后续每次所述刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至所述刻蚀步骤结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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