[发明专利]具有低阈值电压的晶体管结构在审
| 申请号： | 201510608886.2 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105304714A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 葛雯;刘梅 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明主要是关于半导体领域的晶体管，旨在提供了一种相对于现有应用于高压工艺的晶体管结构而呈现为完全新型的低阈值电压晶体管结构，主张在传统晶体管的沟道长度为栅极多晶硅的宽度的基础上，通过改变本体区或阱区的尺寸，使其与栅极多晶硅只有一部分交叠，从而降低高压工艺中晶体管的低阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，其特征在于，包括第一导电类型的半导体层和位于该半导体层之上的第二导电类型的第一阱区，一个第一导电类型的第二阱区掺杂在第一阱区顶部的局部区域，并在第一阱区的顶部还掺杂有与第二阱区间隔开的第二导电类型的第一掺杂区，和在第二阱区的顶部掺杂有第二导电类型的第二掺杂区，及在第一、第二阱区各自位于第一、第二掺杂区之间的区域之上设置有一个栅极结构。
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