[发明专利]封装芯片背面失效定点的方法在审
申请号: | 201510607049.8 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN105301475A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 马香柏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装芯片背面失效定点的方法,包含:第1步,针对封装样品进行背面研磨,直至暴露出芯片背面,以及暴露出包裹在封装体内的引线;第2步,对样品表面进行清理及固定;第3步,采用打线机,在芯片引线和封装基座之间引线实现互联;第4步,对封装基座引线施加电学信号,激发漏电路径,采用传统的失效定点设备进行失效定点。本发明适用于各种封装形式和封装大小,对研磨的可控范围大,能够有效地对失效样品进行失效分析前的样品制备,对样品分析发挥有效作用。 | ||
搜索关键词: | 封装 芯片 背面 失效 定点 方法 | ||
【主权项】:
一种封装芯片背面失效定点的方法,其特征在于,包含:第1步,针对失效的封装芯片进行背面研磨,直至暴露出芯片背面,以及暴露出包裹在封装体内的引线;第2步,对样品表面进行清理及固定;第3步,采用打线机,在芯片引线和封装基座之间实现引线互联;若打线机识别不了芯片引线,则在芯片引线正上方生长铂金属条之后,再在铂金属条与封装基座之间显现引线互联;第4步,对封装基座引线施加电学信号,激发漏电路径,采用失效定点设备进行失效定点。
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