[发明专利]封装芯片背面失效定点的方法

权利要求书

1.一种封装芯片背面失效定点的方法，其特征在于，包含：

第1步，针对失效的封装芯片进行背面研磨，直至暴露出芯片背面，以及暴露出包裹在封装体内的引线；

第2步，对样品表面进行清理及固定；

第3步，采用打线机，在芯片引线和封装基座之间实现引线互联；若打线机识别不了芯片引线，则在芯片引线正上方生长铂金属条之后，再在铂金属条与封装基座之间显现引线互联；

第4步，对封装基座引线施加电学信号，激发漏电路径，采用失效定点设备进行失效定点。

2.如权利要求1所述的一种封装芯片背面失效定点的方法，其特征在于：所述的第1步中，如果芯片衬底掺杂越高，为光子透过率考虑，则研磨程度也相应提高，研磨至衬底厚度为50～300μm。

3.如权利要求1所述的一种封装芯片背面失效定点的方法，其特征在于：所述第2步中，将样品背面朝上，放在新的封装基座上并固定好；所述封装底座开槽优选地在5mm×5mm以上。

4.如权利要求1所述的一种封装芯片背面失效定点的方法，其特征在于：所述第3步中，铂金属条生长采用1000pA束流生长出长度为10～100μm、宽度为10～100μm、厚度为0.8～1μm；上述长度、宽度和厚度的取值能根据实际情况进行调整，面积越大、厚度越厚，越有利于打线；采用打线机，对铂金焊盘和封装基座实现引线互联。