[发明专利]一种LED芯片生产工艺

摘要

本发明公开了一种LED芯片生产工艺，在加工过程中烘干采用恒温烘干，温度为75℃，时间为30min，在该温度下能够快速蒸发支架上的水分，同时不对支架结构造成破坏；扩片前对芯片进行预热，预热温度为50℃，预热能够使得芯片结构软化，在扩张过程中便于改变形状；采用木质真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，相较于钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层，木质吸嘴能够防止对LED芯片表面的损伤；压焊前进行预热，温度为220℃，压焊前对焊机进行预热，使得在压焊过程中焊机能够连续保持压焊温度；成品包装采用防静电包装，由于芯片中的电路系统容易受到静电干扰，造成芯片不稳，因此防静电包装能够有效杜绝静电干扰。

主权项

一种LED芯片生产工艺，其特征在于，其步骤包括：（1）清洗采用超声波清洗LED的支架，清洗参数为：超声振动频率20000赫兹，时间15‑30min，清洗完成后进行烘干；（2）扩片采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,使得LED芯片的间距拉伸至0.55‑0.75mm，扩片机的运行参数为：工作气压4Kg/cm2，温度25‑100℃，扩张完成后对LED芯片进行固膜处理；（3）刺片将LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上；（4）点胶在LED支架的相应位置点上银胶，其参数为：点胶量10‑15mg/单位，胶体高度0.15‑0.27mm,点胶温度80‑120℃；（5）备胶用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,备胶量为2.5‑3.3g/cm²；（6）装架先在LED支架上点上银胶，然后用将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上；（7）烧结 银胶烧结的温度控制在140‑160℃,烧结时间为1.5‑2小时；（8）压焊用金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线，开启焊机进行压焊，其压力为17‑25KPa，压焊温度230℃‑240℃；（9）点胶封装选用环氧支架对LED芯片进行点胶封装；（10）固化固化封装环氧,环氧固化条件在120‑135℃,1‑1.5小时；（11）后固化固化操作后进行后固化，让环氧充分固化,同时对LED进行热老化，条件为110‑120℃,4‑5小时；（12）切筋和划片采用切筋切断LED支架的连筋，在一片PCB板上,进行划片机来完成分离工作；（13）测试测试LED的光电参数、检验外形尺寸,同时根据客户要求对LED产品进行分选；（14）包装将成品进行计数包装，即为成品。