[发明专利]元件的转移方法有效
| 申请号: | 201510593959.5 | 申请日: | 2015-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN105632985B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
| 发明(设计)人: | 张珮瑜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
| 地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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| 摘要: | 本发明公开了一种元件的转移方法,其包含以下步骤。首先,于承载基板上涂布粘着层。接着,放置元件于粘着层上,因而使元件暂时粘附于粘着层上。然后,降低粘着层对于元件的粘着力,但仍维持元件于粘着层上的位置在可控制的范围内,其中粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa。最后,在粘着层的粘着力降低后,将元件自粘着层转移至接收基板。借此,本发明的元件的转移方法借由粘着层的应用,增加元件对位的能力与降低元件损坏的机率。 | ||
| 搜索关键词: | 元件 转移 方法 | ||
【主权项】:
1.一种元件的转移方法,其特征在于,所述元件的转移方法包含:在第一承载基板上涂布第一粘着层;放置至少一个元件于所述第一粘着层上,使得所述元件暂时粘附于所述第一粘着层上;降低所述第一粘着层对于所述元件的粘着力,但仍维持所述元件于所述第一粘着层上的位置在能够控制的范围内,且降低后的所述粘着力大于所述元件的重量,其中所述第一粘着层的杨氏系数小于或等于30GPa;在第二承载基板上涂布第二粘着层;以及在所述第一粘着层的粘着力降低后,将所述元件自所述第一粘着层转移至所述第二承载基板,其中所述转移包含:将所述第一承载基板翻转倒置;及让所述元件接触所述第二粘着层,使得所述元件转移至所述第二粘着层且暂时粘附于所述第二粘着层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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