[发明专利]应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构

摘要

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构，所述进气结构的进气气路包括气体A进气气路和气体B进气气路，两条气路均为喷淋头中央进气，并且两条进气气路相互独立，解决了不同气体提前在喷淋头中混合使薄膜生长在喷淋头内部，造成喷淋板气孔堵塞或孔径改变的问题，并且两种气路从从喷淋头中央进气，解决了从边缘进气造成沉积的薄膜厚度不均匀的问题，两种气体可以均匀地到达基底表面进行沉积反应。

主权项

应用于薄膜沉积装置喷淋头中的双气路中心进气结构，其特征在于，所述进气结构的进气气路包括气体A进气气路和气体B进气气路，所述气体A进气气路和气体B进气气路均为喷淋头中央进气，并且两条进气气路相互独立；所述气体A经由外圈配气环上的气体A进气孔进入所述喷淋头的中心气腔，再通过所述中心气腔底面上的气孔进入到挡板空间并扩散，通过挡板上的气孔向下运动至上层喷淋板与挡板、喷淋上板围成的空间，最后从所述上层喷淋板的气体A出口进入到反应腔室，形成气体A进气气路；所述气体B经由外圈配气环下部的气体B进气口进入到外圈配气环与内圈配气环形成的配气环道结构中，再通过所述环道结构底面的配气孔经由配气柱进入到上层喷淋板与下层喷淋板围成的空间并扩散，最后从所述下层喷淋板的气体B出口进入到反应腔室，形成气体B进气气路。