[发明专利]用于CVD和ALD SiO2薄膜的氨基乙烯基硅烷

摘要

本发明涉及使用热CVD工艺、ALD工艺或循环CVD工艺形成在HF溶液中具有极低湿法蚀刻速率的二氧化硅薄膜的方法，其中硅前体选自以下之一：R¹_nR²_mSi(NR³R⁴)_4-n-m；和(R¹R²SiNR³)_p的环硅氮烷，其中R¹是烯基或芳香基，如乙烯基、烯丙基和苯基；R²、R³和R⁴选自H，直链、支链或环状C₁-C₁₀烷基，直链、支链或环状C₂-C₁₀烯基，和芳香基；n＝1-3，m＝0-2，p＝3-4。

主权项

一种形成在HF溶液中具有极低湿法蚀刻速率的二氧化硅薄膜的低压、热化学气相沉积方法，包括：a.将提供硅源的第一前体输送至低压、热化学气相沉积反应器，其中该第一前体选自：R¹_nR²_mSi(NR³R⁴)_4‑n‑m和(R¹R²SiNR³)_p的环硅氮烷，其中R¹是C₂‑C₁₀烯基或芳香基，优选选自乙烯基、烯丙基和苯基；R²、R³和R⁴选自H，直链、支链或环状C₁‑C₁₀烷基，直链、支链或环状C₂‑C₁₀烯基，和芳香基；且n＝1‑3，m＝0‑2，p＝3‑4；优选地，所述第一前体为双(异丙氨基)乙烯基甲基硅烷；b.将提供氧源的第二前体输送至该反应器；c.使第一和第二前体在400℃至700℃的温度和100mT至1T的压力下反应。