[发明专利]一种高灵敏度压阻式压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开一种高灵敏度压阻式压力传感器，包括硅衬底层、二氧化硅层和单晶硅层；硅衬底层设有第一空腔；二氧化硅层设有单晶硅支撑层和第二空腔；单晶硅层包括可动敏感薄膜、两根连接杆、四个单边紧固薄膜、锚区、压阻条、重掺杂区和金属引线,可动敏感薄膜位于单晶硅层中部，锚区固定连接在单晶硅支撑层上；每个单边紧固薄膜一边与锚区固定连接；两个相对的单边紧固薄膜朝向可动敏感薄膜的一边分别通过连接杆与可动敏感薄膜固定连接；压阻条和重掺杂区位于每个单边紧固薄膜靠近可动敏感薄膜的边缘中心处；金属引线与重掺杂区相连，四个压阻条相连，构成惠斯通电桥。该压力传感器具有良好的灵敏度。同时还提供该传感器的制备方法，简单易行。

主权项

一种高灵敏度压阻式压力传感器，其特征在于，该压力传感器包括从下向上依次布设的硅衬底层（1）、二氧化硅层（2）和单晶硅层（3）；硅衬底层（1）中设有第一空腔（101），第一空腔（101）贯穿硅衬底层（1）；二氧化硅层（2）中设有单晶硅支撑层（201）和第二空腔（202），第二空腔（202）贯穿二氧化硅层（2），第二空腔（202）位于第一空腔（101）上方；单晶硅层（3）包括可动敏感薄膜（301）、两根连接杆（302）、四个单边紧固薄膜（303）、锚区（304）、压阻条（4）、重掺杂区（5）和金属引线（6）, 可动敏感薄膜（301）位于单晶硅层（3）的中部，锚区（304）位于单晶硅层（3）的周边，且锚区（304）固定连接在单晶硅支撑层（201）上；四个单边紧固薄膜（303）分布在可动敏感薄膜（301）四周，每个单边紧固薄膜（303）的一边与锚区（304）固定连接；四个单边紧固薄膜（303）中两个相对的单边紧固薄膜（303）朝向可动敏感薄膜（301）的一边分别通过一根连接杆（302）与可动敏感薄膜（301）固定连接；压阻条（4）和重掺杂区（5）位于每个单边紧固薄膜（303）靠近可动敏感薄膜（301）的边缘中心处，且重掺杂区（5）与压阻条（4）相连；金属引线（6）与重掺杂区（5）相连，使四个压阻条（4）相连，构成惠斯通电桥。