[发明专利]抗PID晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种抗PID晶体硅电池的制备方法，包括如下步骤：1)将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、湿法刻蚀；2)将经湿法刻蚀后的硅衬底经过臭氧浓度为25～60ppm的臭氧氮气混合气氧化；3)在经步骤2)处理后的硅衬底表面采用PECVD设备在其表面沉积一层厚度为79～85nm，折射率为2.01～2.09的Si₃N₄膜；4)经过丝网印刷、烧结后得到抗PID晶体硅电池。该抗PID晶体硅电池的制备方法在现有制备方法的湿法刻蚀和PECVD两步之间添加一道氧化工序，在硅片表面形成一层二氧化硅膜，使得到产品的PID测试结果均低于1％。

主权项

一种抗PID晶体硅电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、湿法刻蚀；2)将经湿法刻蚀后的硅衬底经过臭氧浓度为25～60ppm的臭氧氮气混合气氧化，在所述硅衬底上生成一层二氧化硅膜；3)在经步骤2)处理后的硅衬底表面采用PECVD设备在其表面沉积一层厚度为79～85nm，折射率为2.01～2.09的Si₃N₄膜；4)经过丝网印刷、烧结后得到所述抗PID晶体硅电池。