[发明专利]抗PID晶体硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种抗PID晶体硅电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、湿法刻蚀；

2)将经湿法刻蚀后的硅衬底经过臭氧浓度为25～60ppm的臭氧氮气混合气氧化，在所述硅衬底上生成一层二氧化硅膜；

3)在经步骤2)处理后的硅衬底表面采用PECVD设备在其表面沉积一层厚度为79～85nm，折射率为2.01～2.09的Si₃N₄膜；

4)经过丝网印刷、烧结后得到所述抗PID晶体硅电池。

2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤2)所述臭氧氮气混合气喷淋到硅衬底表面，气体流速为30～50L/min，硅片通过的速度为1.5～2.3m/min，反应温度为50～70℃。

3.如权利要求1所述制备方法中步骤2)所用的氧化装置，其特征在于：所述氧化装置包括喷淋装置(1)、回风槽(2)、进气管(4)和出气管(5)，所述喷淋装置(1)和回风槽(2)分别安装在湿法刻蚀机的卸载滚轮的(3)上部和下部，所述回风槽(2)设置于气体喷淋装置(1)的正下方，且其面积大于气体喷淋装置(1)；所述气体喷淋装置(1)连接有进气管(4)；所述回风槽(2)连接有排风管(5)。