[发明专利]用于CMOS器件离子注入光学修正的测试结构及方法

摘要

本发明提供一种用于CMOS器件离子注入光学修正的测试结构和方法，保留了CMOS器件晶圆结构的原型，能够真实地模拟CMOS环境对离子注入层的影响，例如尺寸、形状、图形密度、周边环境等，同时能够通过各个测试引脚来测试离子注入层的电学特性，来更直观地验证光学修正对离子注入层的优化效果，即监控光学修正对离子注入层的隔离能力的影响，避免了版图的图形密度对离子注入层光学修正的不利影响。

主权项

一种用于CMOS器件离子注入光学修正的测试结构，在CMOS器件前道工艺结构基础上形成，所述CMOS器件前道工艺结构包括形成在衬底中的NMOS管有源区、PMOS管有源区、N型离子注入层、P型离子注入层，其特征在于，所述测试结构包括：从NMOS管有源区引出的第一测试引脚、从P型离子注入层引出的第二测试引脚、从PMOS管有源区引出的第三测试引脚，以及从N型离子注入层引出的第四测试引脚；在测试所述P型离子注入层的隔离能力时，第一测试引脚接正电位，第四测试引脚接零电位，在测试所述N型离子注入层的隔离能力时，第三测试引脚接负电位，第二测试引脚接零电位。