[发明专利]用于CMOS器件离子注入光学修正的测试结构及方法

权利要求书

1.一种用于CMOS器件离子注入光学修正的测试结构，在CMOS器件前道工艺结构基础上形成，所述CMOS器件前道工艺结构包括形成在衬底中的NMOS管有源区、PMOS管有源区、N型离子注入层、P型离子注入层，其特征在于，所述测试结构包括：从NMOS管有源区引出的第一测试引脚、从P型离子注入层引出的第二测试引脚、从PMOS管有源区引出的第三测试引脚，以及从N型离子注入层引出的第四测试引脚；在测试所述P型离子注入层的隔离能力时，第一测试引脚接正电位，第四测试引脚接零电位，在测试所述N型离子注入层的隔离能力时，第三测试引脚接负电位，第二测试引脚接零电位。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述N型离子注入层的离子注入为N型离子的阱注入、阈值调整注入、场注入、源漏注入、隔离注入、材料改性注入或SOI埋层注入；所述P型离子注入层的离子注入为P型离子的阱注入、阈值调整注入、场注入、源漏注入、隔离注入、材料改性注入或SOI埋层注入。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述CMOS器件为SRAM，所述NMOS管有源区包括下拉NMOS管的有源区和传输门NMOS管的有源区，所述PMOS管有源区包括上拉PMOS管的有源区。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述N型离子注入层为N阱，所述P型离子层为P阱。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，第一测试引脚、第二测试引脚、第三测试引脚和第四测试引脚每个测试引脚均通过通孔和金属引线引出。

6.一种用于CMOS器件离子注入光学修正的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一具有前道工艺结构的CMOS器件，所述前道工艺结构包括形成在衬底中的NMOS管有源区、PMOS管有源区、N型离子注入层、P型离子注入层；

从所述NMOS管有源区引出第一测试引脚，从所述P型离子注入层引出的第二测试引脚，从所述PMOS管有源区引出第三测试引脚，从所述N型离子注入层引出第四测试引脚；

对所述CMOS器件中相应的离子注入层进行光学修正，同时对光学修正进行优化，包括：将第一测试引脚接正电位，第四测试引脚接零电位，来监测所述P型离子注入层的隔离能力，以对所述P型离子注入层的光学修正进行优化；和/或，将第三测试引脚接负电位，第二测试引脚接零电位，来监测所述N型离子注入层的隔离能力，以对所述N型离子注入层的光学修正进行优化。

7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，若第一测试引脚与第四测试引脚之间的漏电流小于第一设定值，则所述P型离子注入层的光学修正的预测准确性达到工艺要求；若第二测试引脚与第三测试引脚之间的漏电流小于第二设定值，则所述N型离子注入层的光学修正的预测准确达到工艺要求。

8.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述N型离子注入层的离子注入为N型离子的阱注入、阈值调整注入、场注入、源漏注入、隔离注入、材料改性注入或SOI埋层注入，所述P型离子注入层的离子注入为P型离子的阱注入、阈值调整注入、场注入、源漏注入、隔离注入、材料改性注入或SOI埋层注入。

9.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述CMOS器件为SRAM，所述NMOS管有源区包括下拉NMOS管的有源区和传输门NMOS管的有源区，所述PMOS管有源区包括上拉PMOS管的有源区，所述N型离子注入层为N阱，所述P型离子层为P阱。

10.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，第一测试引脚、第二测试引脚、第三测试引脚和第四测试引脚每个测试引脚均通过通孔和金属引线引出。