[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510571106.1 申请日: 2015-09-09
公开(公告)号: CN105198437A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 刘永胜;万佳佳;董宁;张青;门静;成来飞;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B38/00
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法,将SiC颗粒与PVB和乙醇混合均匀,使PVB尽量均匀地包裹在SiC颗粒表面,便于把SiC颗粒粘接到一起,然后放入化学气相渗透炉(CVI炉)进行化学气相渗透,在CVI过程中,生成的SiC陶瓷相可以起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用,进而使部件强度增强,得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。采用CVI法粘结SiC颗粒制备多孔SiC陶瓷材料,制备温度较低,工艺流程简单,能够制备复杂构件,且该方法制备的多孔SiC陶瓷的孔隙和力学性能可调节,可以根据具体要求调整工艺参数,进而得到所需条件的多孔SiC陶瓷,有极大的应用前景。
搜索关键词: 一种 多孔 碳化硅 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种多孔碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1、制备多孔SiC坯体:将SiC颗粒、粘结剂聚乙烯醇缩丁醛PVB和乙醇混合,使粘结剂聚乙烯醇缩丁醛PVB包裹在SiC颗粒表面得到粘稠状的混合物;将粘稠状的混合物制成设计指定的形状部件,然后烘干得到多孔SiC坯体;所述SiC∶PVB∶乙醇的质量比例为10~20∶1~5∶1~5;步骤2:将多孔SiC坯体放入化学气相渗透炉CVI炉进行化学气相渗透,在CVI过程中,生成的SiC陶瓷相起到粘结SiC颗粒和填充孔隙的作用,进而使坯体强度增强,得到指定形状的多孔SiC陶瓷部件。
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