[发明专利]用于工艺损伤最小化的MRAM结构

摘要

本发明涉及具有延伸的上电极的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元和形成方法。在一些实施例中，MRAM单元具有布置在导电下电极上方的磁隧道结(MTJ)。导电上电极布置在磁隧道结上方。导电上电极具有下部和上部。下部位于磁隧道结上面并且由包封结构横向围绕。上部布置在下部和包封结构上并且横向延伸超出导电上电极的下部。通过横向地延伸超出下部，导电上电极的上部给通孔提供了比上电极的下部将提供的更大的接合面积，从而减轻了由覆盖误差导致的通孔穿通。本发明的实施例还涉及用于工艺损伤最小化的MRAM结构。

主权项

一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件，包括：磁隧道结(MTJ)，设置在导电下电极上方；导电上电极，包括垂直地布置在所述磁隧道结上方并且由包封结构横向地围绕的下部以及位于所述下部和所述包封结构上的上部；以及其中，所述导电上电极的所述上部横向地延伸超出所述导电上电极的所述下部。