[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510566198.4 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106505039B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 傅丰华;余云初;沈忆华;潘见 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的栅极结构，在所述栅极结构的两侧还形成有抬升源漏，步骤S2：在与鳍片延伸方向相垂直的方向上、在所述栅极结构上方形成图案化的沟槽阻挡层，以覆盖所述栅极结构；步骤S3：在所述沟槽阻挡层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：在所述沟槽阻挡层上形成图案化的沟槽掩膜层，以露出所述栅极结构之间的沟槽区域；步骤S5：以所述沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述沟槽区域，以形成沟槽，露出所述抬升源漏；步骤S6：在所述沟槽中所述抬升源漏上形成第一互连结构。所述方法可以实现更小的沟槽间隙，同时增强光刻曝光能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及环绕所述鳍片的栅极结构，在所述栅极结构的两侧还形成有抬升源漏；步骤S2：在与鳍片延伸方向相垂直的方向上、在所述栅极结构上方形成图案化的沟槽阻挡层，以覆盖所述栅极结构；步骤S3：在所述沟槽阻挡层的侧壁上形成间隙壁；步骤S4：在所述沟槽阻挡层上形成图案化的沟槽掩膜层，以露出所述栅极结构之间的沟槽区域；步骤S5：以所述沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述沟槽区域，以形成沟槽，露出所述抬升源漏；步骤S6：在所述沟槽中所述抬升源漏上形成第一互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
