[发明专利]一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置有效
申请号: | 201510557112.1 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105183978B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 陈燕宁;赵东艳;张海峰;付振;李伯海;金文德 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;俞佳 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,其中,该方法包括:根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,与传统的开发流程相比,可以缩小产品的开发周期,减少修改光刻板的次数,进而降低开发成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 设计 阶段 可靠性 评估 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种芯片设计阶段可靠性评估方法,其特征在于,包括:根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。
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