[发明专利]一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置有效
申请号: | 201510557112.1 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN105183978B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 陈燕宁;赵东艳;张海峰;付振;李伯海;金文德 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;俞佳 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 设计 阶段 可靠性 评估 方法 装置 | ||
1.一种芯片设计阶段可靠性评估方法,其特征在于,包括:
根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;
根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;
在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;
当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;
当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
对制版流片后的芯片进行封装,并进行产品可靠性试验,判断所述产品可靠性试验是否通过;
如果通过,则完成设计和研发;如果未通过,则重新进行所述网表设计或版图绘制。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,建立所述老化BSIM器件模型包括:
对测试器件进行多种可靠性测试项目下不同应力的晶圆级老化测试;
分别对多种可靠性测试后测试器件的特性进行拟合,提取出相应失效模式的加速因子;
根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件的各特性随使用时间变化的特性;
根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件特性随时间变化的参量;
根据计算得出的器件特性参量,对传统的BSIM器件模型进行修正,获得老化BSIM器件模型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述可靠性测试包括以下任意一种或多种:热载流子注入、负温度偏置不稳定效应、氧化膜的经时击穿。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述不同应力、特性分别包括以下任意一种或多种:温度、温度梯度、电压、电流。
6.一种芯片设计阶段可靠性评估装置,其特征在于,包括:
网表设计模块,用于根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;
前仿真模块,用于根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;
后仿真模块,用于在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;
再次仿真模块,用于当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;
制版流片模块,用于当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:
试验判断模块,用于对制版流片后的芯片进行封装,并进行产品可靠性试验,判断所述产品可靠性试验是否通过;
判断执行模块,用于如果通过,则完成设计和研发;如果未通过,则重新进行所述网表设计或版图绘制。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,建立所述老化BSIM器件模型包括:
对测试器件进行多种可靠性测试项目下不同应力的晶圆级老化测试;
分别对多种可靠性测试后测试器件的特性进行拟合,提取出相应失效模式的加速因子;
根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件的各特性随使用时间变化的特性;
根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件特性随时间变化的参量;
根据计算得出的器件特性参量,对传统的BSIM器件模型进行修正,获得老化BSIM器件模型。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述可靠性测试包括以下任意一种或多种:热载流子注入、负温度偏置不稳定效应、氧化膜的经时击穿。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述不同应力、特性分别包括以下任意一种或多种:温度、温度梯度、电压、电流。
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