[发明专利]一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置有效

专利信息
申请号: 201510557112.1 申请日: 2015-09-02
公开(公告)号: CN105183978B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 陈燕宁;赵东艳;张海峰;付振;李伯海;金文德 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;俞佳
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 设计 阶段 可靠性 评估 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种芯片设计阶段可靠性评估方法,其特征在于,包括:

根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;

根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;

在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;

当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;

当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

对制版流片后的芯片进行封装,并进行产品可靠性试验,判断所述产品可靠性试验是否通过;

如果通过,则完成设计和研发;如果未通过,则重新进行所述网表设计或版图绘制。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,建立所述老化BSIM器件模型包括:

对测试器件进行多种可靠性测试项目下不同应力的晶圆级老化测试;

分别对多种可靠性测试后测试器件的特性进行拟合,提取出相应失效模式的加速因子;

根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件的各特性随使用时间变化的特性;

根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件特性随时间变化的参量;

根据计算得出的器件特性参量,对传统的BSIM器件模型进行修正,获得老化BSIM器件模型。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述可靠性测试包括以下任意一种或多种:热载流子注入、负温度偏置不稳定效应、氧化膜的经时击穿。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述不同应力、特性分别包括以下任意一种或多种:温度、温度梯度、电压、电流。

6.一种芯片设计阶段可靠性评估装置,其特征在于,包括:

网表设计模块,用于根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;

前仿真模块,用于根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;

后仿真模块,用于在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;

再次仿真模块,用于当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;

制版流片模块,用于当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:

试验判断模块,用于对制版流片后的芯片进行封装,并进行产品可靠性试验,判断所述产品可靠性试验是否通过;

判断执行模块,用于如果通过,则完成设计和研发;如果未通过,则重新进行所述网表设计或版图绘制。

8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,建立所述老化BSIM器件模型包括:

对测试器件进行多种可靠性测试项目下不同应力的晶圆级老化测试;

分别对多种可靠性测试后测试器件的特性进行拟合,提取出相应失效模式的加速因子;

根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件的各特性随使用时间变化的特性;

根据不同失效模式下提取出来的加速因子,计算出测试器件特性随时间变化的参量;

根据计算得出的器件特性参量,对传统的BSIM器件模型进行修正,获得老化BSIM器件模型。

9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述可靠性测试包括以下任意一种或多种:热载流子注入、负温度偏置不稳定效应、氧化膜的经时击穿。

10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述不同应力、特性分别包括以下任意一种或多种:温度、温度梯度、电压、电流。

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